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半導體激光吸收光譜技術（DLAS）最早于20 世紀70年代提出。初期的 DLAS技術使用中遠紅外波長的鉛鹽激光器，這種激光器以及相應的中遠紅外光電傳感器在當時只能工作在非常低的液氮甚至液氦溫度下，從而限制了它在工業(yè)過程氣體分析領域的應用，只是一種實驗室研究用技術。隨著半導體激光技術在20世紀80年代的迅速發(fā)展，DLAS技術開始被推廣應用于大氣研究、環(huán)境監(jiān)測、醫(yī)療診斷和航空航天等領域。特別是20世紀90年代以來，基于DLAS技術的現(xiàn)場在線分析儀表已逐漸發(fā)展成熟，與非色散紅外、電化學氧分析儀、色譜等傳統(tǒng)工業(yè)過程分析儀表相比，具有可以實現(xiàn)現(xiàn)場原位測量、無須采樣和樣品處理系統(tǒng)、測量準確、響應迅速、維護量小等顯著優(yōu)勢，在工業(yè)過程分析和污染源監(jiān)測領域發(fā)揮著越來越重要的作用。
為了達到更高的測量精度，更低的探測下限，DLAS 技術在持續(xù)地發(fā)展。為了抑制噪聲、提高精度，在調制技術方面從直接吸收光譜技術發(fā)展到波長調制光譜技術和頻率調制光譜技術等;為了增加光束穿過被測氣體的有效光程，降低探測下限，從單倍光程的測量方式發(fā)展到利用Herriott 腔、White 腔等實現(xiàn)多次往返吸收光譜;為了在光譜吸收較強的基帶頻率進行測量，降低測量下限，波長在中紅外和遠紅外波段的量子級聯(lián)半導體激光器被應用在各種 DLAS 技術中;另外也可以與光聲檢測技術結合產(chǎn)生激光光聲光譜技術。
